低壓磷擴散設備（M5211-8/UM型）
關(guān)鍵詞：
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線(xiàn)集成解決方案提供商
低壓磷擴散設備（M5211-8/UM型）
低壓磷擴散設備（M5211-8/UM型）
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主要用于HJT電池非晶硅膜層沉積。采用射頻等離子體增加化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10nm的非晶硅/微晶硅
低壓硼擴散設備用于N型晶體硅TOPCON、TBC等工藝中PN結的制備。
設備特點(diǎn)
· 工藝兼容：硅片尺寸可兼容至230mm，具備硼擴散、氧化、退火及磷擴散等多種工藝兼容
· 新型爐門(mén)機構：采用柔性爐門(mén)支撐機構、可旋轉式爐門(mén)設計方式，爐口密封圈更換及爐門(mén)維護無(wú)需設備降溫，維護更加便捷，有效延
長(cháng)石英管、爐體壽命
· 卓越防腐設計：爐口表面防腐處理，整個(gè)反應室無(wú)金屬暴露，保證工藝過(guò)程的潔凈度及鈍化效果
· 快速冷卻：具備獨創(chuàng )的快速冷卻專(zhuān)利技術(shù)，高溫氧化后可縮短工藝時(shí)間10 min以上
· 濕氧工藝：成熟的濕氧工藝，提升高溫氧化速率，降低氧化溫度，提升石英件壽命
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