立式氧化擴散爐
關(guān)鍵詞：
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線(xiàn)集成解決方案提供商
立式氧化擴散爐
立式氧化擴散爐
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應用于集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的柵氧生長(cháng)、STI隔離等前段工藝制程前的初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備；適用工藝有氧化、退火、推阱、合金、PI固化。
設備特點(diǎn)
- 全自動(dòng)傳送，定位精準，穩定可靠
- 高潔凈工藝環(huán)境
- 工藝氣體充分預熱，氣氛均勻，精確溫控
- 薄膜均勻性佳
技術(shù)指標
- 晶片尺寸：8”（兼容6”）
- 典型工藝溫度：800℃~1150℃（氧化、推阱、退火）；800℃~1250℃（高溫氧化）；400℃~800℃（合金）
- 恒溫區長(cháng)度：≥860mm
- 單點(diǎn)控溫精度：≤±0.5℃
- 最大載片量：170片
- 金屬污染：＜5E10atm/cm2
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