立式LPCVD
關(guān)鍵詞：
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線(xiàn)集成解決方案提供商
立式LPCVD
立式LPCVD
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應用于集成電路制造中的堅膜氧化層、多晶硅沉積；適用工藝有TEOS、Poly、SiN。
設備特點(diǎn)
- 全自動(dòng)傳送，定位精準，穩定可靠
- 高潔凈工藝環(huán)境
- 設備內部形成局部?jì)艋h(huán)境，有效控制污染
- 工藝氣體充分預熱，氣氛均勻，精確溫控
- 薄膜均勻性佳
技術(shù)指標
- 晶片尺寸：8”（兼容6”）
- 典型工藝溫度：500~800℃
- 恒溫區長(cháng)度：≥860mm
- 單點(diǎn)控溫精度：≤±0.5℃
- 最大載片量：170片
- 極限真空：≤20mtorr
- 新增顆粒：≤30（≥0.2μm）
- 金屬污染：＜5E10atm/cm2
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