臥式爐設備
關(guān)鍵詞：
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線(xiàn)集成解決方案提供商
臥式爐設備
臥式爐設備
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應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件及大規模集成電路制造等領(lǐng)域對晶圓進(jìn)行擴散、氧化、退火、合金、Poly等工藝。
設備特點(diǎn)
- 設備成熟穩定，可靠性高，確保生產(chǎn)過(guò)程順利進(jìn)行
- 恒溫區自動(dòng)調整，串級控制，精確控制工藝溫度
- 設備適用晶片尺寸范圍廣（2”-12”），工藝溫度覆蓋400℃-1300℃
技術(shù)指標
- 晶片尺寸：12”（兼容4/6/8”）
- 典型工藝溫度：500~800℃（合金、LPCVD）；800℃~1150℃（氧化、推阱、退火）；800℃~1250℃（高溫氧化）
- 恒溫區長(cháng)度：≥860mm
- 單點(diǎn)控溫精度：≤±1℃
- 最大載片量：150片
- 金屬污染：＜10E10atm/cm2
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